革新的な単層カーボンナノチューブ結晶の生成方法

東京都公立大学法人

東京都八王子市南大沢１－１

この技術でできること

本特許は、単層カーボンナノチューブの結晶作製方法の技術について述べています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は新たな単層カーボンナノチューブの結晶作製方法を提示しています。特に、蒸気拡散法を用いて、結晶化剤及びpH緩衝剤が添加された溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液を用います。また、このドロップ溶液は結晶化剤としての無機又は有機酸の金属塩を含まないことが特徴です。さらに、この方法では、気拡散法がシッティングドロップ法またはハンギングドロップ法で、リザーバー溶液が結晶化剤を特定の濃度で含むことが特徴であり、これにより効率的に単層カーボンナノチューブの結晶を作製することが可能となります。この技術は、単層カーボンナノチューブを用いた電子デバイスの開発に貢献すると期待されます。

AIによる特許活用案

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高性能な電子デバイスの開発

本特許の技術を活用することで、単層カーボンナノチューブの結晶を効率的に作製することが可能となります。これにより、電子デバイスの性能を向上させることが可能となります。特に、高集積化が進む半導体メモリ素子の配線材料として、大電流を流しても断線しにくい単層カーボンナノチューブの結晶を用いることで、デバイスの信頼性と性能を向上させることが期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2011-282196
発明の名称: 単層カーボンナノチューブの結晶作製方法
出願人／権利者: 東京都公立大学法人
住所: 東京都八王子市南大沢１－１
公開番号: 特開2012-144426
登録番号: 特許第5854462号

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