高速・大容量・低消費電力の未来型メモリ装置

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

金属酸化物と酸化ハフニウムを使用した高性能の不揮発性記憶装置を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、複数の不揮発性記憶素子を持つ不揮発性記憶装置に関するものです。各不揮発性記憶素子は、金属酸化物を含むチャネル層と、前記チャネル層に接する酸化ハフニウムを含む強誘電体層、そして前記強誘電体層を介して前記チャネル層に対向するゲート電極を備えています。装置は高速かつ大容量の情報通信を可能にし、家電製品の小型化にも対応できます。さらに、装置の低消費電力化により、エネルギー効率の向上も実現します。特に、ゲート絶縁層として強誘電体記憶素子を用いることで、不揮発性メモリの需要拡大に対応できます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 家電コンピューター情報通信

小型家電製品への応用

この不揮発性記憶装置は小型化にも対応しており、家電製品への組み込みに適しています。これにより、家電製品の性能を向上させるとともに、消費電力を抑えることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2021-537601
発明の名称: 不揮発性記憶装置及びその動作方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2021/024598
登録番号: 特許第7360203号

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