高精度な金属配線を形成するための特許技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

本特許は、基板上に金属配線を形成するための方法を詳細に説明しています。

相談したいこと

技術の特徴

この特許では、特定の波長範囲の真空紫外線を用いて、真空紫外線を照射するステップを含む複数の工程を経て、基板上に金属配線を形成する方法を提供します。また、塗布法としてスピンコート法、スプレー塗布法、ディップコート法などを用いることが可能で、金属インクや高分子溶液の濃度も特定の範囲内で設定されます。この方法は、高精度な金属配線の形成を可能とし、電子デバイスや半導体デバイスの製造に有用です。

AIによる特許活用案

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高精度な半導体デバイスの製造

この特許の技術は、半導体デバイスの製造プロセスに活用できます。特に、高精度な金属配線が必要なマイクロプロセッサやメモリチップの製造において、この方法を用いることで製品の品質と信頼性を向上させることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2021-501926
発明の名称: 金属配線を形成する方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: WO2020/175170
登録番号: 特許第7117047号

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