革新的なヘテロエピタキシャル構造を持つ金属積層体とその製造方法

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

強固で効率的な電導性を持つ、独特な金属積層体の製造方法。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、特定の金属部を覆う他の金属部を有し、特異なヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体とその製造方法に関する。具体的には、第一金属部の表面に複数個が離散的に配置された第二金属部と、第二金属部を覆う第三金属部を有する。第二金属部は、第一金属部の表面に単位面積当たり50個以上、200個以下の密度で分散されている。また、第一金属部の表面積に対し、第二金属部が第一金属部と接する合計面積の割合は、0.1以上0.8以下である。これらの積層構造は、特定の工程を経て製造され、強固で効率的な電導性を持つことが特徴です。

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本特許のヘテロエピタキシャル構造を持つ金属積層体は、電子デバイスの製造において有用です。その特異な構造は、高密度で強固な電導性を持つ材料を提供し、電子デバイスの性能を向上させることが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2020-550206
発明の名称: ヘテロエピタキシャル構造体及びその作製方法、並びにヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体及びその作製方法、ナノギャップ電極及びナノギャップ電極の作製方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2020/071025
登録番号: 特許第7029200号

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