革新的なスピントロニクスデバイスとその応用
慶應義塾
東京都港区三田2-15-45
この技術でできること
高度なスピントロニクスデバイスとそれを利用した磁気メモリおよび電子機器
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、スピントロニクスデバイス、磁気メモリおよび電子機器に関する革新的な技術を提供します。スピントロニクスデバイスは、特定の金属群から選択された材料で構成される導電層を持つとともに、第一の導電層は主に銅を含み、第二の導電層は主に酸化銅を含むなど、その構成材料が特定化されています。また、磁気メモリでは、スピントロニクスデバイスからのスピン流を強磁性層に注入して磁気モーメントを反転させることによりビット書き込みを行います。さらに電子機器は、この磁気メモリを搭載しています。
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AIによる特許活用案
高速かつ効率的なデータストレージ装置の開発
本特許技術を利用することで、磁気メモリによる高速かつ効率的なデータストレージ装置の開発が可能です。特に、大量のデータを高速に書き込み、読み出す必要があるデータセンターやクラウドサービスのインフラストラクチャに有用です。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。
権利概要
- 出願番号
- 特願2020-541276
- 発明の名称
- スピントロニクスデバイス、磁気メモリ及び電子機器
- 出願人/権利者
- 慶應義塾
- 住所
- 東京都港区三田2-15-45
- 公開番号
- WO2020/050329
- 登録番号
- 特許第7352293号