高性能な単分子トランジスタの登場

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

金と白金を用いた革新的な単分子トランジスタの特許

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、第1および第2の電極層が白金で形成され、第1、第2および他の金属粒子が金であることを特徴とする単分子トランジスタに関するものです。金属粒子は半球形で、その曲率半径は12nm以下です。また、金属粒子は電極層の先端部分から突出して配置され、白金と金は接触面で金属結合を形成しています。さらに、共役分子の長さは5nm以下で、一端と他端に金属粒子と化学結合する元素を含んでいます。これらの特性により、高度な電子制御と微細なスケールが可能となり、電子デバイスの高性能化と小型化に大いに貢献するでしょう。

AIによる特許活用案

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高性能化した電子デバイスの開発

この単分子トランジスタは、その高い電子制御能力と微細なスケールを活用して、より高性能で小型の電子デバイスを開発することが可能です。これにより、パソコンやスマートフォンなどの電子機器の性能向上と小型化が進むでしょう。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2020-503630
発明の名称: 単分子トランジスタ
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2019/168124
登録番号: 特許第6799880号

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