高精度・高性能なナノギャップ電極の生成技術

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

微細な金属粒子を利用した画期的なナノギャップ電極の製作法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、超微細な金属粒子を使用してナノギャップ電極を生成する技術に関して述べています。特に、金と白金の金属粒子を結合させて作る電極層に着目し、その粒子の一端から他端までの幅が10nm以下の大きさに成長させることで、高精度なナノギャップ電極を形成します。また、無電解メッキ液の中に金属イオンと還元剤を混ぜて、金属粒子が形成されるプロセスも含まれています。この技術により、高性能で安定した電子デバイスの製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業研究開発業

高性能電子デバイスの製造

本技術を利用して、高精度なナノギャップ電極を持つ電子デバイスを製造することが可能です。これにより、電子デバイスの性能向上やサイズ縮小を実現できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2020-503629
発明の名称: ナノギャップ電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2019/168123
登録番号: 特許第6763595号

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