革新的な半導体装置の製造法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

MIS型半導体装置の製造方法とその使用に関する特許

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、絶縁膜の誘電率が高く、バンドギャップが広く、界面準位を作りにくく、リーク電流特性に優れるMIS型半導体装置の製造方法に関するものです。特に、絶縁体層と導電体層を含む基板上に形成される半導体層の製造が含まれます。また、特許ではハフニウムフッ化物やランタンフッ化物などの物質を絶縁膜に含むことで、優れた電気特性と製造効率を得ています。これにより、半導体業界におけるデバイスの性能改善と製造コストの削減が期待できます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業産業機器製造業

高性能半導体デバイスの開発

本特許の製造方法を用いることで、高性能な半導体デバイスを開発することが可能です。これにより、より高速で効率的な電子機器の製造が可能となり、競争力を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-565774
発明の名称: ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: WO2019/142581
登録番号: 特許第6846834号

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