革新的なトンネル電界効果トランジスタ

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

バンドギャップと半導体層を特徴とする、新世代のトンネル電界効果トランジスタ

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、バンドギャップと半導体層を特徴とするトンネル電界効果トランジスタについて述べています。この半導体層は、特定の半導体（p型、n型、I V族、II一V 1I族など）で構成されています。また、第 1 半導体層と第 2 半導体層の間には接合絶縁層が配置されています。特に、第 2 半導体層のバンドギャップは、第 1 半導体層のバンドギャップよりも大きくなっています。さらに、ゲート絶縁層およびゲート電極層は第 1 領域から第 2 領域に拡がっています。これらの特徴により、電力消費を抑えつつ高い性能を発揮する新世代のトランジスタが提供されます。

AIによる特許活用案

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ハイパフォーマンスな電子デバイスの開発

本特許の技術を利用することで、電力消費を抑えつつ高い性能を発揮する電子デバイスを開発することが可能になります。これは、省エネルギーを求める現代社会において大きな価値をもたらします。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-557267
発明の名称: トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2019/107411
登録番号: 特許第7164204号

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