透明でP型半導体性を持つヘテロ元素含有グラフェン

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

ラマン分光分析に基づいた特性を持つ、窒素を含むヘテロ元素含有グラフェンの製造方法とその特性

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、X線光電子分光法に基づき、須素（C）とヘテロ元素（X）の原子数比が0.1以上であるヘテロ元素含有グラフェンの製造方法について記載しています。また、ラマン分光分析に基づいて特性を評価し、その特性に基づいて用途を見つけることが可能です。窒素の基底面へのドープされている化学結合状態が陽イオン性窒素の可能性が提示でき、ホール効果測定によりキャリアタイプがp型と判定されることが特徴の一つです。また、ラマン分光分析によって、特定の波長のラマン分光分析の結果に基づいて、特定の強度比や半値幅を有することが確認されています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界ナノテクノロジー化学業界

透明なP型半導体の開発

この特許のヘテロ元素含有グラフェンは透明なP型半導体としての性質を示すため、新たな透明なP型半導体の開発に役立つ可能性があります。特に、ディスプレイやソーラーパネルなどの透明電子機器において新たな材料として利用可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-545161
発明の名称: ヘテロ元素含有グラフェン
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2019/066013
登録番号: 特許第7036448号

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