高性能マグネシウム二次電池の新時代

慶應義塾

東京都港区三田２－１５－４５

この技術でできること

マグネシウム二次電池用の正極活物質とその製造方法、そしてマグネシウム二次電池に関する特許

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、マグネシウム二次電池用の正極活物質とその製造方法について述べています。その正極活物質は、BET比表面積が50から200m²/gで、細孔径が1から10nmの細孔の容積が0.35cm³/g以上で、全細孔容積の30%以上を占める多孔質材料で、その表面がバナジウム酸化物により表面処理されています。この正極活物質の製造方法は、二重細孔構造を有するキセロゲル状の前駆体を熱処理することにより、二重細孔構造を維持したマグネシウム複合酸化物を形成するものです。また、その後にバナジウム酸化物で表面処理を行います。この特許によれば、高性能なマグネシウム二次電池を製造することが可能となります。

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高性能電池の開発

この特許を活用して、エネルギー密度が高く長寿命のマグネシウム二次電池を開発することができます。これにより、スマートフォンやノートパソコンなどの携帯型電子機器や電気自動車の性能向上に貢献することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-543425
発明の名称: マグネシウム二次電池用正極活物質及びその製造方法、並びにマグネシウム二次電池
出願人／権利者: 慶應義塾
住所: 東京都港区三田２－１５－４５
公開番号: WO2019/058681
登録番号: 特許第7109094号

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