高効率半導体装置とその製造方法: パフォーマンス向上を実現

国立大学法人静岡大学

静岡県浜松市中央区城北３－５－１

この技術でできること

外部端子と交互に電気的に接続される配線部を持つ半導体装置とその製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、効率的な記憶容量の増大と高性能化を可能にする半導体装置とその製造方法について説明しています。具体的には、複数の第3と第4の配線部が、第1と第2の外部端子と交互に電気的に接続される構成を有しています。さらに、これら配線部の線幅または間隔も特定の条件を満たすように設定されています。また、半導体装置の製造方法も詳細に述べられており、記憶素子用材料を用いて複数の配線部を形成し、その後絶縁体を形成するといった工程が含まれています。これにより、記憶容量を効率的に増やすことが可能となり、また装置の全体的なパフォーマンスも向上します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-539453
発明の名称: 半導体装置及びその製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人静岡大学
住所: 静岡県浜松市中央区城北３－５－１
公開番号: WO2019/044705
登録番号: 特許第7109795号

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