高性能スピントロニクスデバイスの製造技術を革新する特許

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

高い磁気抵抗効果を持ち、製造が容易な強磁性トンネル接合体とその製造方法についての特許です。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、強磁性トンネル接合体とその製造方法に関するものです。強磁性トンネル接合体は、強磁性層と絶縁体層からなる三層構造を持ち、その相対磁化角度に対してバリア層を介したトンネル抵抗値が変化するトンネル磁気抵抗効果を示します。この特許では、強磁性トンネル接合体の製造工程が詳細に説明されており、その製造方法により、高い磁気抵抗変化比を持つ接合体を容易に製造することが可能となります。また、製造方法は基板上に広範囲に適用可能であり、さまざまなデバイスの製造に活用できます。

AIによる特許活用案

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高性能磁気ヘッドの開発

この特許の製造方法を応用することで、高い磁気抵抗変化比を持つ強磁性トンネル接合体を利用した高性能な磁気ヘッドを開発することが可能になります。これにより、ハードディスク装置の性能向上が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-525389
発明の名称: 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: WO2018/230466
登録番号: 特許第6857421号

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