透明性とp型半導体特性を両立した新世代の酸化物半導体

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

酸化物半導体と半導体装置の領域における、Snを含む複合酸化物により構成され、p型半導体特性を実現可能とする革新的な技術です。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、Snを含む複合酸化物により構成される酸化物半導体及び半導体装置について説明しています。これまでに、透明半導体材料は可視光領域で高い透明性を持ち、高い電気伝導性を示すことが知られていますが、これらは全て電子が荷電担体となるn型半導体でした。本発明の酸化物半導体は、これらの問題を克服し、透明性とp型半導体特性を両立することを可能にします。これにより、pn接合を形成することで、可視光領域で透明なダイオードやトランジスタ、太陽電池などを作製することが可能となります。また、酸素を含む大気中で酸化反応に強い酸化物半導体として期待されており、フォーダイト酸化物の結晶構造を利用しています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子機器製造太陽電池製造

高性能な透明電極の開発

本技術を活用することで、透明性とp型半導体特性を両立した酸化物半導体を開発することが可能となります。これにより、高性能な透明電極が開発可能となり、さまざまな電子機器に応用できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-501124
発明の名称: 酸化物半導体及び半導体装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2018/155034
登録番号: 特許第6933400号

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