高性能な酸化物半導体の新時代

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

p型ヨード導体と複合酸化物による優れた酸化物半導体の開発

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、p型ヨード導体と複合酸化物により構成される酸化物半導体の開発に関するものです。従来の酸化物半導体は、電子が荷電担体となるn型セミコンダクターでしたが、この新たな開発により、p型の半導体も可能となりました。これにより、電子と正孔の両方を使って電流を流すことが可能となり、電子デバイスの性能向上や省エネ化が期待できます。特に、透明なn型とp型の半導体がそろえば、透明なダイオードやトランジスタ、太陽電池などを作ることが可能となります。しかし、p型半導体の作製は難しく、特性劣化、再現性の問題がありました。本発明により、これらの問題を克服し、高性能な酸化物半導体の製造が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業太陽電池製造業

高性能な透明ダイオードの開発

透明なn型とp型の半導体がそろえば、透明なダイオードの開発が可能となります。これにより、透明なディスプレイやタッチパネルなどの新たな電子デバイスの開発が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-501123
発明の名称: 酸化物半導体及び半導体装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2018/155033
登録番号: 特許第7037197号

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