革新的な六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

特定の金属膜と特定の原料ガスを用いて製造される六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、金属薄膜の主成分元素としてニッケルと鉄を含み、ホウ素原子と窒素原子を含む原料ガスを用いて製造される六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法に関するものです。特定の分子（ボラジン、アンモニアボラン等）を含む原料ガスが利用され、金属薄膜の表面は面心立方格子の面を有します。製造方法では、金属膜が10%以上のニッケルを含み、原料ガスとしてボラジンが利用されます。さらに、原料ガスの供給や冷却の際に、ホウ素原子または窒素原子を含む分子の第二の原料ガスをさらに供給します。この方法により、厚さが1nm以上、50nm以下の六方晶窒化ホウ素薄膜または3層以上の層からなる薄膜を形成することが可能となります。

AIによる特許活用案

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高性能半導体の製造

この製造方法は、電子デバイスの性能を向上させる可能性があります。特に、高性能な半導体を作るための新たな材料として、この六方晶窒化ホウ素薄膜が利用される可能性があります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-560410
発明の名称: 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2018/128193
登録番号: 特許第7136453号

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