革新的な磁場形成手法を利用したマグネトロンスパッタリング装置

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

高度な磁場制御を可能にする新しいスパッタリング装置の特許

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、マグネトロンスパッタリング装置とその磁場形成装置に関するもので、スパッタリングターゲットの中央部および外縁部に異なる極性の磁極を持つ内環状磁石と、ループ状磁束を調整する外環状磁石とを具備しています。これにより、スパッタリング現象を利用した成膜法における成膜速度の高速化を実現します。さらに、内環状磁石は開口部の厚さと周縁部における厚さが異なる構造を持ち、外環状磁石は上面と下面の径方向の厚さが異なる構造を持つなど、磁場強度の調整が可能です。これにより、高精度な磁場制御と効率的なスパッタリングプロセスが可能になります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業ナノテクノロジー表面処理業

高精度成膜の実現

本特許の技術を活用することで、微細な磁場制御を行うことが可能となります。これにより、スパッタリングによる成膜の精度を向上させ、高品質な半導体製品の製造を可能にすることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-554267
発明の名称: マグネトロンスパッタリング装置、及び、磁場形成装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2018/101444
登録番号: 特許第6938037号

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