革新的なニューロン回路とスイッチ回路の技術

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

高抵抗と低抵抗を自在に切り替えるニューロン回路とスイッチ回路の開発

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、抵抗状態の変化を利用したニューロン回路とスイッチ回路に関するものです。具体的には、抵抗体が所定温度以上で金属相となり、所定温度以下で絶縁相となるという特性を活用し、内部状態量に応じて高抵抗状態と低抵抗状態を自在に切り替えることが可能です。また、入力信号の変動周期が緩和時間より短いスイッチ回路も提案されています。さらに、この技術は酸化バナジウムを使用したニューロン回路にも適用可能です。これにより、電子機器や情報通信機器などの高速化・高性能化を実現することが可能となります。

AIによる特許活用案

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高速化・高性能化の実現

この技術を利用することで、電子機器や情報通信機器などの高速化・高性能化を実現することが可能となります。抵抗状態の高速な切り替えが可能なため、デバイスの応答速度の向上や省エネルギー化に貢献します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2018-553650
発明の名称: ニューロン回路、システムおよびスイッチ回路
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2018/100790
登録番号: 特許第6765686号

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