高性能窒化物半導体の製造技術

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

高い電子移動度と精密な表面粗さを持つ窒化物半導体の製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、窒化物半導体の製造方法について説明しています。この製造法は、窒化物半導体の薄膜を高精度に形成することが可能で、その結果、窒化物半導体の電子移動度が高く、表面の粗さも制御されています。具体的には、AFMによる表面粗さ測定で得られるRMS値が5.0 nm以下で、電子移動度が60 cm*ン (V・s) 以上となる窒化物半導体を製造することが可能です。また、その窒化物半導体は、405nmの波長領域の光に対する吸光係数が2000cm以下となります。これにより、窒化物半導体は高い電子濃度を持つ一方で、光に対する吸収も抑えることが可能となります。さらに、n型オーミック電極金属に対するコンタクト抵抗も1X1010以下となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子部品製造通信機器製造

高性能半導体デバイスの製造

本特許の製造方法を活用することで、高い電子移動度と精密な表面粗さを持つ窒化物半導体を製造することが可能となります。これにより、性能の高い半導体デバイスを製造することが可能となります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2018-530815
発明の名称: 窒化物半導体及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2018/042792
登録番号: 特許第6432004号

登録情報の修正申請