革新的な半導体装置、接触抵抗を最小限に！

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

高いオーミック性を持つコンタクト構造を提供する半導体装置。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、n型導電型を有する半導体結晶の表面に設けられるオーミック性の高い接触の低いショットキー障壁を持つコンタクト構造に関するものです。特に、バンドギャップが1.2 eV以下のn型導電型を有する半導体結晶の表面に、電子濃度が1X10^3 cm^3未満の材料から成るコンタクト層が直接設けられています。この半導体装置は、半導体結晶がSiもしくはGeであり、主成分とする材料から成るコンタクト層を持つという特長があります。その結果、接触抵抗を極力下げることが可能です。これにより、半導体素子本来の性能向上を実効的に促進し、微細化に伴うコンタクト抵抗の上昇を抑制することができます。

AIによる特許活用案

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高性能半導体素子の開発

本特許の技術を活用し、半導体素子の微細化に伴うコンタクト抵抗の上昇を抑制し、半導体素子本来の性能向上を実効的に促進する高性能な半導体素子を開発することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-536911
発明の名称: 半導体装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2018/042707
登録番号: 特許第6778957号

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