革新的な磁気抵抗素子とその製造法

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

ホイスラー合金と特定の化合物を用いた磁気抵抗素子とその製造方法の提供

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ホイスラー合金と特定の化合物を用いた磁気抵抗素子とその製造方法に関するものです。強磁性ホイスラー合金の層に特定の化合物半導体を組み合わせることで、電流に応じた値を出力する磁気抵抗素子を提供します。また、特定の磁性体からなる磁性層と、特定の化合物半導体の積層により、磁気記憶装置やスピントランジスタの製造も可能です。さらに、特定の工程を用いて磁気抵抗素子を製造する方法も提供します。これにより、高性能な磁気記憶装置やスピントランジスタの製造が可能となり、データストレージや電子デバイス分野などでの応用が期待されます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 データストレージ電子デバイス半導体製造

ハイパフォーマンス磁気記憶装置の開発

本特許の技術を用いることで、高性能な磁気記憶装置を開発することが可能になります。これにより、大容量かつ高速なデータの読み書きが可能となり、データセンターやクラウドストレージなどのデータストレージサービスの性能向上に寄与します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2018-524175
発明の名称: Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ２化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: WO2017/222038
登録番号: 特許第6803575号

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