革新的なグラフェン前駆体付きSiC基板の製造方法

学校法人関西学院

兵庫県三田市学園２－１

この技術でできること

SiC基板上に均一にグラフェン前駆体を形成する革新的な製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、SiC基板をSi蒸気圧下で加熱してエッチングし、その後グラフェン前駆体を形成する新たな製造方法を提供します。この方法では、SiC基板のステップの基端側から先端側に向かって均一にグラフェン前駆体が形成される特徴があります。さらに、S iC基板のS i面において隣接する4つのS i原子で構成される間形の1辺を6倍し、S i面に垂直な方向を回転軸として30度回転させた形状を最小パターンとしています。これにより、S i面のSi原子とグラフェン前駆体のC原子の配列パターンが重なる特徴を持ちます。また、この製造方法では、グラフェン前駆体とSiC基板の間に元素を挿入することで、前記グラフェン前駆体と前記S iC基板の結合を切断し、前記S iC基板上に前記グラフェン前駆体を介さずに、グラフェンを形成することが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業素材科学ナノテクノロジー

高性能半導体の製造

この技術は、グラフェンとSiC基板の組み合わせにより、半導体の性能を向上させることが可能です。具体的には、グラフェンの高い電子移動度とSiC基板の優れた熱伝導性を利用し、より高性能な半導体の製造を実現します。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2018-514704
発明の名称: グラフェン前駆体付きＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板の表面処理方法
出願人／権利者: 学校法人関西学院
住所: 兵庫県三田市学園２－１
公開番号: WO2017/188382
登録番号: 特許第6708875号

登録情報の修正申請