革新的な金属膜形成用組成物
学校法人 工学院大学
東京都新宿区西新宿1丁目24番2号
この技術でできること
異なる種類の金属原子と配位子を用いて金属膜を形成するための組成物
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、特定の金属原子と配位子を用いて金属膜を形成するための組成物に関するものです。金属原子はAg、Cu、Li、Ni、Mn、Zn、Coから選ばれ、配位子はNH、R、OH、またはジアミン由来のものであり、これらの組み合わせによって、特定の条件下での金属膜の形成を可能にします。また、本発明の組成物は、アミノポリカルボン酸の錯体、アミノ酸化合物、およびアミノ酸化される化合物に由来する対アニオンを含みます。これらの組成物は、金属膜形成用組成物全量に含まれる金属原子の含有基が0.5質量% - 10質量%の範囲であることが特徴です。
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AIによる特許活用案
高品質な半導体製造
本発明の金属膜形成用組成物は、半導体製造における金属膜の形成に利用可能です。特定の金属原子と配位子の組み合わせにより、均一で高品質な金属膜を形成することが可能となり、結果として性能の高い半導体を製造することができます。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2017-565604
- 発明の名称
- 金属膜形成用組成物および金属膜形成方法
- 出願人/権利者
- 学校法人 工学院大学
- 住所
- 東京都新宿区西新宿1丁目24番2号
- 公開番号
- WO2017/135330
- 登録番号
- 特許第6953006号