高性能なスピントロニクスデバイスを実現する強磁性トンネル接合体
国立研究開発法人物質・材料研究機構
茨城県つくば市千現１－２－１
この技術でできること
本特許は、高トンネル磁気抵抗を示す強磁性トンネル接合体とその製造方法について述べています。
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AIによる特許活用案
高性能なスピントロニクスデバイスの製造
この強磁性トンネル接合体は、スピントロニクスデバイスに適用することで、デバイスの性能を向上させることが期待されます。例えば、高速動作や大きな電流を流すことが可能なデバイスの製造に有効でしょう。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2017-565561
- 発明の名称
- 強磁性トンネル接合体、これを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス並びに強磁性トンネル接合体の製造方法
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人物質・材料研究機構
- 住所
- 茨城県つくば市千現１－２－１
- 公開番号
- WO2017/135251
- 登録番号
- 特許第6690838号