革新的なシリコンクラスター超格子: エレクトロニクスの新たな地平線

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

体心立方格子構造で配置されたシリコンクラスターが、新たな電気特性を発揮します。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、ダイヤモンド結晶構造を持つシリコンクラスターが、体心立方格子構造の形状に配置され、立体的な3次元格子を形成するシリコンクラスター超格子について説明しています。特に、シリコンクラスターの表面に存在する3配位Si原子が、Siとは異なる元素（例えば酸素やホウ素）で置換されるか、あるいは吸着されることで、超格子の電気特性が変化します。これにより、さまざまな電子デバイスにおけるキャリア伝導性の制御が可能となり、半導体や導電体、電子デバイスの性能向上に寄与します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子工業半導体産業電気機器製造業

高性能半導体の開発

本特許に基づき、異なる元素で置換されたSi原子を持つシリコンクラスター超格子を用いて、伝導特性をコントロールした半導体を開発することが可能です。これにより、エネルギー効率と性能を向上させた新しい半導体を生み出すことができます。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-564275
発明の名称: シリコンクラスター超格子
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2017/130974
登録番号: 特許第6883334号

登録情報の修正申請