革新的な半導体製造方法の提供

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

モット転移を利用したFETとその製造方法が特許化されています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、電界効果トランジスタ(FET)及びその製造方法に関するもので、具体的にはモット転移を利用したFETとその製造方法に関するものです。従来の半導体をチャンネル層に用いたFETでは、性能向上のために微細化を行うと、それに伴ってチャンネルとして寄与する半導体の体積が減少し、素子ごとの特性のばらつきが深刻になる問題があります。本特許では、強い電子相関によって絶縁体になる相転移（モット転移）を利用したFETの製造方法を提案しています。これにより、半導体の微細化の限界といった問題が解消されます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界電子部品製造業高度素材開発業

高性能な電子機器の開発

この特許を活用して、モット転移を利用したFETを用いた電子機器を開発することができます。これにより、高性能で信頼性の高い電子機器の提供が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-564192
発明の名称: 電界効果トランジスタ及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2017/130813
登録番号: 特許第6637076号

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