高効率メモリ素子の革新、相変化材料の新次元
国立大学法人東北大学
宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０ 未来科学技術共同研究センター２階
この技術でできること
相変化材料を用いたメモリ素子の駆動エネルギー低減技術
相談したいこと
関連キーワード
AIによる特許活用案
次世代メモリ素子の開発
本特許の技術を利用して、駆動エネルギーの低減と高温データ保持性を兼ね備えた次世代のメモリ素子を開発することが可能です。これにより、消費電力の低減と大容量化を実現し、電子機器の性能を一層向上させることが期待できます。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2017-556030
- 発明の名称
- 相変化材料および相変化型メモリ素子
- 出願人／権利者
- 国立大学法人東北大学
- 住所
- 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０ 未来科学技術共同研究センター２階
- 公開番号
- WO2017/104577
- 登録番号
- 特許第6598166号