新世代の透明半導体の開発

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

透明でp型の半導体を開発し、電子デバイスの新たな可能性を切り開く。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、透明なp型半導体の開発について述べられています。現在、Cu2OやNiOなどのp型半導体が知られていますが、これらは可視光領域に光吸収があり、透明ではありません。また、透明なp型導電体の研究開発が進んでいますが、これらの新しい導電体も、いくつかの問題点が存在しています。例えば、デラフォサイト構造をもつ化合物は正孔の移動度が低く、酸化亜鉛はn型半導体であるため、p型半導体特性を発現するためには構造欠陥を導入する必要があります。しかし、これらの問題を克服し、透明でp型の半導体を開発することで、透明なダイオードやトランジスタ、太陽電池などの電子デバイスの新たな可能性が切り開かれます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業研究開発業

透明な電子デバイスの開発

本特許の技術を用いて、透明な半導体を活用した電子デバイスを開発することが可能です。透明なダイオードやトランジスタ、太陽電池などの開発により、新たな電子デバイスの可能性が広がります。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-546510
発明の名称: 酸化物半導体
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2017/069022
登録番号: 特許第6562321号

登録情報の修正申請