革新的な磁気抵抗素子！電圧制御による高精度な磁化制御

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

磁歪層を含むフリー層と強磁性体層を備えるピン層を組み合わせた磁気抵抗素子の開発

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、磁歪層を含むフリー層と、第1強磁性体層を備えるピン層、それらの間に設けられた薄膜を有する磁気抵抗素子を提供します。これらの層は積層方向に交差する方向から磁歪層の少なくとも一部を囲むように設けられ、磁歪層に圧力を加える圧電体と協働します。フリー層に印加される電圧およびピン層に印加される電圧と異なる電圧を印加可能で、この圧電体が磁歪層に圧力を加えるように電圧を印加する電極が設けられています。これにより、電圧制御による磁化の精密な制御が可能となり、記憶デバイスやスイッチングデバイスとしての利用が期待されます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業データストレージ業界

高精度メモリデバイスの開発

この磁気抵抗素子は、フリー層の磁化方向を電圧によって精密に制御できるため、記憶デバイスの開発に利用することができます。特に、高密度で高速なデータ転送が要求される状況での利用が期待されます。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-521945
発明の名称: 磁気抵抗素子および記憶回路
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2016/194886
登録番号: 特許第6424272号

登録情報の修正申請