ノンコリニア磁気抵抗素子の革新的な改良

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

磁気抵抗素子の書込み時間を短縮し、効率的なデータ処理を実現する特許技術

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、磁気抵抗素子の改良に関するもので、特にノンコリニア磁気抵抗素子の効率と性能を向上させることを目指しています。ノンコリニア磁気抵抗素子は、磁化配置が非直線的であることから、データの書き込みと読み出しの速度が向上します。しかし、これまではその製造方法が難しく、特殊な斜め蒸着法を必要としていました。本特許では、その問題を解決するための新たな設計が提案されています。特に、Coを含む薄膜とPt若しくはPdを含む薄膜との交互多層膜、CoとPt若しくはPdを含む超格子膜、hcp構造を有するCoを含む合金膜などの新素材の活用が提案され、これにより製造が容易で性能も優れた磁気抵抗素子を実現します。データ処理の効率化と高速化を実現する本特許は、メモリデバイスの発展に寄与します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業コンピュータハードウェアデータストレージ

高速メモリデバイスの製造

本特許の技術を活用することで、書き込み時間が短く、高速なデータ処理が可能なメモリデバイスを製造することができます。これにより、効率的なデータストレージと処理が可能になり、コンピュータの性能向上に寄与します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-519402
発明の名称: ノンコリニア磁気抵抗素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2016/186178
登録番号: 特許第6528090号

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