革新的なグラフェン製造技術により、未来の電子素子へ一歩先んじる

国立大学法人　筑波大学

茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階

この技術でできること

本特許では、大面積かつ高品質の単層グラフェンを低温で製造し、電子素子に応用する技術を提供します。

相談したいこと

技術の特徴

我々の技術は、基板を1000度以上の温度に保持した状態で炭化水素を含むガスを供給し、プラズマアシスト法により炭化水素ガスの分解効率を高めることでグラフェンを製造します。さらに、製造したグラフェンを基板から分離する工程も備えています。また、基板主面に形成されたレジストパターンにガリウムを接触させ、ガリウムを融点を超える温度に保持した状態で炭化水素を含むガスを供給し、基板主面のガリウムとの接触界面にグラフェンを300度以下かつ100度以上の温度で成長させ、レジストパターンをグラフェン化して回路を形成します。この製造技術は、大面積かつ高品質の単層グラフェンを低温で製造することが可能で、電子素子への応用が期待できます。

AIによる特許活用案

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高品質グラフェンの大量製造

一度に大面積かつ高品質な単層グラフェンを低温で製造することが可能になるため、グラフェンの大量生産が可能となります。これによりグラフェンの製造コストを下げ、その応用範囲を広げる事が期待できます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-515549
発明の名称: グラフェンおよび電子素子ならびにこれらの製造方法
出願人／権利者: 国立大学法人　筑波大学
住所: 茨城県つくば市春日１－２　高細精医療イノベーション棟１階
公開番号: WO2016/175195
登録番号: 特許第6754355号

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