マルチフェロイック素子の革新的初期化方法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

絶縁体と伝導体を組み合わせたマルチフェロイック素子の初期化方法を特許化

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、マルチフェロイック素子の初期化方法に関するもので、積層構造体に対して特定の電圧を加え、外部磁場を積層方向に加えることで、素子の初期化を可能にしています。特定の化合物を主成分とした合金属が交互に積層された超格子構造を持つことが特徴で、それぞれの合金属には特定の配向性があります。化合物の融点未満の温度条件下で電場及び磁場の少なくともいずれかを加えることで初期化を行います。この技術は、電子デバイスの省エネルギー化に寄与し、エネルギーロスを軽減します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業半導体業界データストレージ業界

電子デバイスの省エネ化

この特許の技術は、電子デバイスの省エネ化に向けた中心的な技術開発課題に対する解決策として活用することができます。コンピューターなどの電子デバイスは、電流によって動作しますが、電流を操作する際にエネルギーロスが発生します。この初期化方法を利用することで、エネルギーロスの軽減とデバイスの省エネ化を図ることができます。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2017-506161
発明の名称: マルチフェロイック素子の初期化方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2016/147802
登録番号: 特許第6466564号

登録情報の修正申請