高精度な化学・物理現象検出装置の制御方法

国立大学法人豊橋技術科学大学

愛知県豊橋市天伯町雲雀ケ丘１－１

この技術でできること

光感応性を有する半導体基板を使った化学・物理現象の検出装置の制御方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、高精度な化学・物理現象検出装置の制御方法が明記されています。センシング領域へ電荷を供給する電荷供給領域、その供給を調整する電荷供給調整領域、そしてセンシング領域との間に形成される電位井戸領域を具備した半導体基板を利用します。電荷供給領域から第1の電位井戸領域へ電荷を供給し、その電荷を排出するステップから始まり、センシングステップで電荷の境界電位をセンシング領域の電位と等しくします。その後、電荷の量を検出するステップを経て、化学・物理現象を高精度に検出します。

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電荷供給調整領域の活用

電荷供給調整領域を用いて、電荷の供給をより精密に制御することで、より高精度な化学・物理現象の検出が可能になります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-506160
発明の名称: 化学・物理現象検出装置
出願人／権利者: 国立大学法人豊橋技術科学大学
住所: 愛知県豊橋市天伯町雲雀ケ丘１－１
公開番号: WO2016/147798
登録番号: 特許第6905701号

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