高効率・安定した電子放出技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

電子銃、電子機器の製造方法を改善する炭化ハフニウム単結晶ナノワイヤの活用

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、炭化ハフニウム単結晶からなるナノワイヤを使用したエミッタ、それを用いた電子銃、電子機器及びその製造方法に関するものです。エミッタはナノワイヤを用い、このナノワイヤは炭化ハフニウム単結晶から構成されています。エミッタの先端部分は電子を放出するため、その部分は酸化ハフニウムで被覆されており、その厚さは1nm以上5nm以下です。ナノワイヤの長手方向の長さは5μm以上30μm以下であり、ナノワイヤの長手方向は炭化ハフニウム単結晶の結晶方向に一致しています。本発明により、エミッタからの電子放出の安定性と効率が大幅に向上します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 電子機器製造業ナノテクノロジー半導体製造業

高効率な電子顕微鏡の製造

本発明のエミッタを用いることで、電子顕微鏡の電子源として使用できます。電界放出型やショットキー電子銃などに利用することで、高分解能かつ高輝度な観察画像を得ることが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2017-503461
発明の名称: エミッタの製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: WO2016/140177
登録番号: 特許第6459135号

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