高性能積層半導体素子とその製造法

雫石　誠

この技術でできること

高集積化、高速駆動、低消費電力化、小型軽量化、そして柔軟な形状選択が可能な半導体素子とその製造方法の特許です。

相談したいこと

技術の特徴

この特許では、積層半導体素子の外形形状や中空部のZ軸方向の側面部を構成する半導体素子の側面部がシリコン酸化膜で被覆されていること、積層半導体素子を構成する半導体素子のシリコン酸化膜で被覆された側面部に受光窓を有し、受光窓側から半導体基板内部に向かって光電変換領域が形成されていること、積層された半導体素子表面又は裏面、及び中空部のZ軸方向の側壁に金属層を有することが明記されています。また、半導体素子の製造方法も詳細に説明されています。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業通信機器製造業

小型高性能電子機器の開発

この技術を活用することで、高速駆動、低消費電力化、そして小型軽量化が可能な電子機器の開発が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-547105
発明の名称: 半導体素子とその製造方法
出願人／権利者: 雫石　誠
公開番号: WO2016/114377
登録番号: 特許第6251406号

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