革新的な酸化物磁性体スイッチング装置

国立大学法人北海道大学

北海道札幌市北区北２１条西１１丁目　北キャンパス総合研究棟３号館

この技術でできること

酸化物磁性体を活性層に使用し、強磁性金属と反強磁性絶縁体間で活性層の特性を切り替えるスイッチング装置。

相談したいこと

技術の特徴

本発明のスイッチング装置は、酸化物磁性体を活性層に使用し、強磁性金属と反強磁性絶縁体間で活性層の特性を切り替えることが可能です。特に、水の電気分解によって生成された水素と酸素を用いて活性層の結晶構造を変化させることができます。これにより、従来のイオン液体を用いた電気二重層トランジスタに代わり、多孔質の絶緑体中に保持された水の電気分解を用いて活性層の特性を切り替えることが可能となります。また、多孔質誘電体は空孔率が5-70体積%で、水分含有率が23-100体積%の多孔質誘電体からなります。この装置は、スピントロニクス技術の新たな可能性を開くことが期待されます。

AIによる特許活用案

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高性能スピントロニクスデバイスの開発

この技術を用いて開発されるスピントロニクスデバイスは、従来のデバイスに比べてハイパフォーマンスと高効率を実現する可能性があります。これは、新たなコンピューティング技術の開発に対するドアを開く可能性があります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-568732
発明の名称: スイッチング装置
出願人／権利者: 国立大学法人北海道大学
住所: 北海道札幌市北区北２１条西１１丁目　北キャンパス総合研究棟３号館
公開番号: WO2016/111306
登録番号: 特許第6629241号

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