革新的な半導体装置の製造法：酸素濃度の制御によるパフォーマンス向上

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

ゲルマニウム層内に形成された導電型領域の酸素濃度を制御し、オン電流とオフ電流の比を大きくする半導体装置の製造法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、酸素濃度を制御することで、オン電流とオフ電流の比を大きくし、半導体装置のパフォーマンスを向上させる製造法に関するものです。具体的には、ゲルマニウム層内に形成された第1導電型を有するチャネル領域と、第1導電型と異なる第2導電型を有するソース領域およびドレイン領域を備えた半導体装置の製造法です。この製造方法では、チャネル領域における酸素濃度がソース領域やドレイン領域の接合界面における酸素濃度より低く設定されます。これにより、半導体の性能を大幅に向上させることが可能となります。さらに、この製造法は、チャネル領域と接合界面の酸素濃度を適切に制御することで、半導体装置のオン電流とオフ電流の比を大きくすることができ、性能の最適化を実現します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業IT・通信業

高性能半導体の製造

この特許の技術を活用して、酸素濃度を適切に制御した高性能な半導体を製造することが可能です。これにより、より高速なデータ処理やより低電力消費を実現することが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-557764
発明の名称: ゲルマニウム層をチャネル領域とする半導体装置およびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2016/072398
登録番号: 特許第6316981号

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