ナノデバイスの新時代: 高度な電荷制御によるナノデバイス

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

ナノギャップ電極に設けられたナノ粒子の電荷状態を精密に制御するナノデバイス

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ナノ粒子の電荷状態を精密に制御することが可能なナノデバイスに関するものです。このデバイスは、複数のゲート電極を備え、それぞれのゲート電極に電圧を印加することで、ナノ粒子の電荷状態を段階的に変化させ、結果として流れる電流を段階的に変化させることが可能です。また、フローティングゲート電極を挟んでナノ粒子と対向する位置には、コントロールゲート電極が配置されています。このコントロールゲート電極に電圧を印加することで、フローティングゲート電極の電荷状態を制御し、さらにナノ粒子の電荷状態を制御することができます。これにより、高度な電荷制御と精密な電流制御が可能となります。

AIによる特許活用案

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高効率な電子デバイスの製造

この技術は、電子デバイスの製造において、電流の流れをより精密に制御することが可能となります。これにより、電子デバイスの性能を向上させるとともに、エネルギー効率を向上させることが可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-545560
発明の名称: ナノデバイス
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2016/031836
登録番号: 特許第6443699号

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