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革新的な半導体材料:有機無機層状ベロブスカイト下化合物

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)

革新的な半導体材料:有機無機層状ベロブスカイト下化合物
掲載画像・国立研究開発法人産業技術総合研究所

この技術でできること

有機無機層状ベロブスカイト型化合物の製造方法を提供する特許技術

技術の特徴

本発明は、有機無機層状ベロブスカイト下化合物及びその製造方法に関するもので、シルセスキオキサン化合物を有機層として取り込んだ有機無機層状ベロブスカイト型化合物の製造方法を提供します。この特許は、半導体材料、光学材料、磁性材料などの分野で注目されている有機無機層状ペロブスカイト型化合物の製造を更に進化させる可能性を秘めています。有機無機層状ベロブスカイト型化合物は、無機化合物と有機化合物が交互に存在する材料で、一般的にはメチルアミン、エチルアミン、フェニルエチルアミン等のアミン化合物やジアミン化合物、アミノ基を1つ乃至複数個有するフラーレン、チオフェン等が用いられます。本発明では、これにシルセスキオキサン化合物を取り入れることで、化合物の特性を大幅に改良することが可能となります。

関連キーワード

ペロブスカイト化合物半導体材料光学材料

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高性能半導体の開発

本発明の技術を活用し、有機無機層状ベロブスカイト型化合物を含む高性能な半導体を開発することができます。これにより、コンピューターやモバイルデバイスなどの電子機器の性能向上が期待されます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2016-540142
発明の名称
有機無機層状ペロブスカイト型化合物及び有機無機層状ペロブスカイト型化合物の製造方法
出願人/権利者
国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所
茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第1(産総研内)
公開番号
WO2016/021402
登録番号
特許第6270183号
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