革新的な電子メモリ：結晶配向層積層構造体

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

配向が制御された結晶配向層積層構造体を使用した電子メモリとその製造方法

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、配向が制御された結晶配向層積層構造体を利用した電子メモリとその製造方法を提供します。この結晶配向層積層構造体を使用することで、電子の散乱を抑制し、エネルギーロスを軽減することが可能になります。さらに、特定の成膜材料を成膜する工程を含むことで、厚みが1nm以上100nm以下の配向制御層を形成することが可能となります。これにより、エネルギー効率の高い電子デバイスの製造が可能となり、コンピューターやその他の電子デバイスの性能向上に寄与します。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 コンピューター製造業半導体産業電子部品製造業

高性能電子デバイスの製造

この特許を活用することで、電子の散乱を抑制し、エネルギーロスを軽減する新たな電子デバイスを製造することが可能になります。これにより、より高速かつエネルギー効率の良いデバイスの製造が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-519190
発明の名称: 結晶配向層積層構造体、電子メモリ及び結晶配向層積層構造体の製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2015/174240
登録番号: 特許第6238495号

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