新時代のパワーセミコンダクタ向け炭化シリコンエピタキシャルウエハーの開発

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

本特許は、炭化シリコンエピタキシャルウエハーの製造方法を提供し、その特性向上とコスト削減を目指します。

相談したいこと

技術の特徴

本特許では、炭化シリコン基板と炭化シリコンエピタキシャル成長層の界面に凹凸構造を有し、エピタキシャル成長層の表面が平坦な炭化シリコンエピタキシャルウエハーの製造方法が述べられています。炭化シリコンは、シリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍、禁制帯幅と熱伝導率が約3倍という優れた物性を持つため、パワーセミコンダクタ素子の性能向上が期待できます。しかし、従来の製造方法では、性能や信頼性の問題がありました。本特許では、ステップバンチングを構成する工程、エピタキシャル成長層の作製工程、その表面の平坦化工程などを経て、高品質でコスト効率の良い炭化シリコンエピタキシャルウエハーを製造する方法を提供します。これにより、半導体素子の製造コストの低減や性能の向上が期待できます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体産業エネルギー産業電子機器製造業

高品質なパワーセミコンダクタの製造

本特許の製造方法を用いて、高品質な炭化シリコンエピタキシャルウエハーを製造することで、パワーセミコンダクタの性能と信頼性を向上させ、その製造コストを削減することが可能です。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-513829
発明の名称: 炭化珪素エピタキシャルウエハおよびその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2015/159949
登録番号: 特許第6195426号

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