高効率データ処理の新時代：抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置

国立大学法人東北大学

宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０　未来科学技術共同研究センター２階

この技術でできること

電圧の変化を検出し、書き込みを自動制御する抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置。

相談したいこと

技術の特徴

抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置は、データの書き込みが終了したことを検出し、それに応じて書き込みを自動で停止させる装置です。書き込み終了の検出は、記憶素子の一端の電圧が設定された閾値を超えた時、または下回った時に行われます。装置はまた、データの書き込み要求を受け付け、書き込み要求に従って記憶素子へデータの書き込みを実行します。書き込み制御部は、書き込み終了信号に応答して書き込みを停止させます。また、複数の記憶素子が配置され、選択用のトランジスタを介して一対のビットラインに接続されています。

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この装置を用いて、大量のデータを迅速に処理するシステムを開発します。データ書き込みの終了を自動的に検出し、次の処理に移行することで、全体のデータ処理速度を向上させます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2016-510401
発明の名称: 抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置
出願人／権利者: 国立大学法人東北大学
住所: 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０　未来科学技術共同研究センター２階
公開番号: WO2015/147016
登録番号: 特許第6404326号

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