高機能トランジスタと電子回路技術

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

ピエゾ抵抗体を活用した高性能トランジスタとその電子回路への応用

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、ピエゾ抵抗体を用いたトランジスタおよび電子回路に関するものです。このトランジスタは、キャリアの伝導方向に直交する全ての方向から圧電体がビエゾ抵抗体に圧力を加えるように設計されています。また、ビエゾ抵抗体を支持する支持体が備えられ、その上面は曲面で、圧電体はビエゾ抵抗体と支持体を囲む形状で設けられています。その結果、高い降伏強度を持つ材料を使用することで、より高い電圧を印加することが可能になります。また、このトランジスタは電子回路にも適用され、データを記憶する双安定回路や不揮発性素子に使用され、データを不揮発的にストアし、リストアすることが可能です。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造業電気機器製造業データストレージ業

高性能半導体の開発

このトランジスタ技術は、半導体製造業において新たな高性能半導体の開発に活用できます。特に、高電圧を印加できる特性は、より高度な計算能力を必要とするデバイスの開発に寄与します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-507499
発明の名称: ピエゾ抵抗体をチャネルに用いたトランジスタおよび電子回路
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2015/137256
登録番号: 特許第6140885号

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