革新的なトンネル電界効果トランジスタの製造方法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

この技術でできること

本特許は、トンネル電界効果トランジスタによる集積回路の製造方法について記述しています。

相談したいこと

技術の特徴

この特許は、トンネル電界効果トランジスタによる集積回路の製造方法を明細します。主な特長は、P型領域とN型領域の形成と、それらの間に金属半導体合金膜を形成するプロセスです。これにより、トンネル電界効果トランジスタの性能を向上させ、低電圧での動作や消費電力の軽減を可能にします。特に、ゲート電極の配置や活性領域の設計について詳細に説明されており、これにより面積の削減やコスト削減、高性能化が図られます。この製造方法は、半導体技術の進歩に伴い、さまざまな電子デバイスの性能向上に寄与することが期待されます。

AIによる特許活用案

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低電圧での動作を可能にする新型トランジスタの開発

本特許の製造方法を用いて、低電圧で動作するトンネル電界効果トランジスタを開発することが可能です。これにより、消費電力を大幅に削減した電子デバイスの製造が可能となります。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2016-507421
発明の名称: トンネル電界効果トランジスタによる集積回路及びその製造方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2015/137081
登録番号: 特許第6300214号

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