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一歩先を行く、革新的な金属膜形成技術

学校法人 工学院大学

東京都新宿区西新宿1丁目24番2号

この技術でできること

優れた電気伝導性と抗菌性を持つ金属膜形成用組成物とその利用方法を提供します。

技術の特徴

本特許は、高品質の金属膜を効率的に形成する新しい方法を提供します。特に、金属錯体を含む組成物による金属膜形成が特徴で、AgやCuを表す金属原子が含まれています。使用する配位子は、特定のアミノポリカルボン酸から選ばれ、これにより高い柔軟性と適応性が実現されます。この組成物は、金属原子の含有量が0.5質量%〜10質量%の範囲となるように調整されます。さらに、この組成物は塗布後、紫外線を照射することで金属膜を形成します。この技術は、電気伝導性と抗菌性を持つ金属膜の需要が高まる現代社会において、多方面での応用が期待されます。

関連キーワード

金属膜、錯体、電気伝導性、抗菌性、紫外線照射

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高性能電子デバイスの製造

本特許の技術は、電子デバイスの製造に活用できます。特に、電気伝導性が求められる部分にこの金属膜を形成することで、デバイスの性能向上が期待できます。

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参考情報

活用条件

  • サブスクリプション・未選択
  • 権利譲渡・未選択
  • ライセンス契約・未選択
商品化・サービス化
ASK
実証実験
ASK
サンプル・プロトタイプ
ASK

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権利概要

出願番号
特願2021-153277
発明の名称
金属膜形成用組成物および金属膜形成方法
出願人/権利者
学校法人 工学院大学
住所
東京都新宿区西新宿1丁目24番2号
公開番号
特開2022-003170
登録番号
特許第7175532号
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