電力消費を削減する次世代不揮発性メモリ
国立研究開発法人産業技術総合研究所
茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
この技術でできること
共鳴トンネルダイオード素子を用いた不揮発性メモリで、電子蓄積と放出による双安定状態記憶を可能にします。
相談したいこと
技術の特徴
本発明では、共鳴トンネルダイオード（RTD）素子を用いた新たな不揮発性メモリを提供します。このメモリは、量子井戸の井戸層に複数のバリア層とポテンシャル傾斜を備えています。順バイアスの電圧を印加することで量子井戸内に電子を蓄積し、逆バイアスの電圧を印加することで蓄積した電子を放出することが可能です。これにより、電子蓄積と放出による双安定状態を記憶することができます。これは、情報通信機器の消費電力を大幅に削減する可能性を秘めています。さらに、ピコ秒オーダーの超高速動作が可能であり、低損失であるため、低消費電力な不揮発メモリを期待できます。
関連キーワード
AIによる特許活用案
次世代の低消費電力コンピュータシステムの開発
この技術を用いることで、情報通信機器やコンピュータシステムの消費電力を大幅に削減することが可能です。これにより、エネルギー効率の高い次世代のコンピュータシステムを開発することができます。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2015-556817
- 発明の名称
- 共鳴トンネルダイオード素子及び不揮発性メモリ
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 住所
- 茨城県つくば市梅園１－１－１ つくば中央第１（産総研内）
- 公開番号
- WO2015/105123
- 登録番号
- 特許第6278419号