高性能半導体の新たな道 - ゲルマニウム基板製造技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
この特許は、ゲルマニウム基板の製造方法に関するもので、特に半導体装置の性能向上を目指しています。
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、1X10^8 cm 3 以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層を還元性ガス雰囲気中において、700度以上で熱処理する工程を特徴とする半導体基板の製造方法です。この高温熱処理により、ゲルマニウム層の酸素濃度が低下し、半導体装置の性能が向上します。さらに、ゲルマニウム層は(111)面が主面であり、主に水素ガスを用いた熱処理が行われます。この技術は、シリコンに代わる新たな半導体材料として期待されるゲルマニウムの利用を広げ、半導体装置の性能向上に貢献します。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能半導体の開発
本技術を活用して、ゲルマニウム基板の製造を行い、その基板を用いて高性能な半導体装置を開発することができます。これにより、従来のシリコンに代わる新たな半導体材料の開発が可能となります。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2015-544904
- 発明の名称
- ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2015/064338
- 登録番号
- 特許第6169182号