高精度なデバイスを実現するナノギャップ電極技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
ナノギャップを有する電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイスに関する特許。
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、ナノメートルオーダーの一定の範囲のギャップを保ちながら向き合う一定の面積の対向面を有する電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイスに関するものである。電極対は、一方の電極と他方の電極がナノギャップを有して向かい合うように同一面上に設けられ、これらの向かい合う部分が、互いに近づくにつれて前記面から遠ざかるように湾曲している。また、作製方法では、初期ギャップを有するように間隔をあけて電極の対が形成された基板をサンプルとして準備し、無電解メッキ液に浸漬する際、一定時間経過すると前記無電解メッキ液を交換することにより、ナノギャップを有する電極対を作製する。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高精度なデバイスの開発
本特許は、ナノギャップを有する電極対の精度を向上させることで、スイッチング機能やメモリ機能を有する高精度なデバイスの開発に活用することができます。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2015-535332
- 発明の名称
- 電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2015/033600
- 登録番号
- 特許第6283963号