先進的な半導体構造とその製造方法
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
高度に効率的な半導体構造を提供する特許
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、ゲルマニウム層と酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、または酸化スカンジウムの少なくとも1つからなる物理膜厚が3nm以下の絶縁膜を具備した半導体構造に関するものです。この絶縁膜は、ゲルマニウム層との界面において、イットリウムまたはスカンジウムの少なくとも1つの元素の原子組成比が6%以上かつ30%以下であることを特徴とします。さらに、この特許は酸化性ガス雰囲気下での熱処理工程を含む半導体構造の製造方法についても提供します。これにより、半導体の性能を向上させるとともに、製造工程を効率化することが可能となります。
関連キーワード
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高性能半導体の開発
本特許の半導体構造と製造方法を利用することで、高性能な半導体を開発することが可能です。これにより、より高速かつ効率的な電子機器の製造が可能となります。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2015-534036
- 発明の名称
- ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2015/029535
- 登録番号
- 特許第6133991号