革新的な半導体素子：InGaAIN系窒化物半導体層を活用
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
高周波数に対応する半導体素子の開発に成功、非単結晶基板でも優れた特性を実現
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、高い電子移動度や飽和電子速度を示すInGaAIN系窒化物半導体を活用した半導体素子の開発に関して述べています。特に、非単結晶基板でも良好な半導体特性を発揮できるInGaAIN系窒化物半導体層を用いた半導体素子の開発に成功しています。これにより、従来のトランジスタよりも高い周波数に応答する高速電子素子用材料として利用可能です。また、この半導体素子は、窒化物半導体層をチャネルとする電界効果トランジスタであり、オンオフ比が10以上であるという優れた特性を示します。これは、高精度な電流制御を可能にし、電子デバイスの性能を大幅に向上させることが可能です。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高速電子デバイスの開発
この半導体素子は、高い電子移動度と飽和電子速度を持つため、高速電子デバイスの開発に活用できます。高周波数に対応する能力は、例えば次世代の通信装置やコンピュータに必要な特性であり、本特許技術の活用はこれらのデバイスの性能向上に寄与します。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。
権利概要
- 出願番号
- 特願2015-533999
- 発明の名称
- ＩｎＧａＡｌＮ系半導体素子
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2015/029435
- 登録番号
- 特許第6212124号